环球焦点！32亿美元！三安光电拟与意法半导体在重庆合建碳化硅晶圆厂

6月7日，知名半导体公司意法半导体（ST）通过官网宣布，将与A股上市公司三安光电(600703)成立一家合资制造厂，进行8英寸碳化硅 (SiC)器件大规模量产。该合资厂全部建设总额预计约32亿美元（约合人民币228亿元）。

三安光电6月7日晚间公告，合资公司将由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体持股49%。项目在取得各项手续批复后开始建设，2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产。

对于此次合资，6月7日晚，三安光电方面回应记者时表示，合资工厂的建立，体现出公司的碳化硅业务已经得到国际客户的充分认可，也是公司朝着国际碳化硅专业晶圆代工厂目标迈出的重要一步。

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228亿元联手建厂

根据湖南三安和意法半导体签署的《合资协议》，双方将在重庆市设立合资公司“三安意法半导体（重庆）有限公司”。

该合资工厂预计投入总金额为32亿美元，将根据合资公司进度需要陆续投入。合资公司注册资本为6.12亿美元，湖南三安持股51%，意法半导体持股49%，均以货币资金分期出资，主要从事碳化硅外延、芯片生产。

项目在取得各项手续批复后开始建设，2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8英寸碳化硅晶圆10000片/周。

合资工厂相关产品的销路，双方已有约定。据ST官网6月7日披露，该合资厂将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺技术，专注于为意法半导体生产碳化硅器件。三安光电也披露，该工厂制造的碳化硅外延、芯片将独家销售给ST或其指定的任何实体。

另外，为满足该合资厂的衬底需求，三安光电也将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂。合资公司将与湖南三安签订长期碳化硅衬底供应协议，以保证合资公司未来材料的工艺需求。

提升市场占有率

对于此次合资，三安光电在公告中表示，本次合作双方充分发挥各自优势，扩大市场产能供给，实行供应封闭运行，将有利于推动电动汽车行业节能的发展，降低产品成本，推进产品市场渗透率提升，提高双方产品市场占有率。

6月7日晚，三安光电方面回应记者时表示，本次合资工厂的建立，将为中国碳化硅市场注入新的力量，公司将充分发挥各自优势，扩大产能供给，有力推动碳化硅器件在市场上的广泛应用，助推新能源汽车行业快速发展。

三安光电称，这体现出公司的碳化硅业务已经得到国际客户的充分认可，是朝着国际碳化硅专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。“随着新的合资工厂和衬底工厂建立，我们有信心继续在碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。”

ST总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery则表示，与中国的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂，将帮助公司以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。

“此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大全球SiC制造业务的重要一步。”Jean-Marc Chery表示，新合资厂将助力ST实现到2030年取得50亿美元以上SiC营收这一目标。这一举措也与ST在2025-2027年实现200亿美元以上的营收目标相契合。

市场需求持续增长

据三安光电此前披露，碳化硅功率器件应用领域广泛，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用市场之一，也是产业近年来的核心增长引擎。

近年来，新能源汽车对电池成本的节省，以及对800V快充的需求，催生了对碳化硅器件的更换需求。

三安光电表示，中国是全球最大的电动汽车市场，随着碳化硅产能扩张出量，成本有效降低，碳化硅功率器件有望逐步从高端车型下放至中低端车型，势必加速其在新能源汽车领域的渗透率，全球碳化硅功率器件产业将迎来巨大发展机遇。

据预测，2021年全球碳化硅功率器件的市场规模约为10.9亿美元，而到2027年全球碳化硅功率器件的市场规模将暴增至62.97亿美元，年均复合增长率约为34%。

随着市场需求的增长，提升产能也被各大厂商摆在重要位置。在2022年年报中，三安光电表示，2023年公司将加快碳化硅产能扩张，尽早释放产能，满足市场需求，尽快实现效益，为公司寻求新的利润增长点。

资料显示，三安光电旗下湖南三安是国内为数不多的碳化硅垂直产业链制造平台，其碳化硅产能已达12000片/月，硅基氮化镓产能2000片/月。湖南三安二期工程将于2023年贯通，达产后配套年产能将达到36万片。

三安光电还表示，公司碳化硅各环节业务顺利推进，衬底已通过几家国际大客户验证，其中一家实现批量出货，且2023年、2024年供应已基本锁定。公司的碳化硅MOSFET代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作，并与某知名车企签署芯片战略采购意向协议总金额达38亿元。已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元。